次世代の半導体材料「ガリウムナイトライド」の謎に挑む
「ガリウムナイトライド」って知っていますか?
現代の生活をさまざまな分野で支えているものに半導体があります。半導体の材料として、よく知られているのはシリコンですが、現在、大変注目されている半導体材料に「ガリウムナイトライド(=窒化ガリウム、GaN)」があります。
ガリウムナイトライドは、2014年に日本人研究者3人がノーベル物理学賞を受賞した青色発光ダイオード(青色LED)の材料としても有名です。
過酷な環境下でも使用可能な半導体の魅力
ガリウムナイトライドは、光デバイスとしてだけでなく、無線通信やパワーエレクトロニクス分野の電子デバイスとして広く活用が期待されている物質です。それはガリウムナイトライドが「ワイドギャップ半導体」であることに関係があります。ワイドギャップとは「結合に寄与した電子が動けない場所(価電子帯)と電子が動ける場所(伝導帯)の間隔(バンドギャップ)が大きいこと」を指します。バンドギャップが大きい半導体は、高温下でも機能し、高い電圧にも耐えられる性質があります。ガリウムナイトライドは600度の超高温の環境下でも安定していることがわかっています。ですから、ワイドギャップ半導体は、過酷な高温環境下でも動作する電子機器などの実現に、大いに期待がかかる半導体といえます。
「欠陥」の正体をつきとめ、物性評価の方法を探る
しかし、ガリウムナイトライドについては、まだわかっていないことがたくさんあります。例えば、ガリウムナイトライドの結晶を作製するときや、できた結晶を加工する段階などで、どうしても欠陥ができてしまうのです。どの段階でどんな欠陥が生じるのか、また、どんな欠陥がどう機能に影響するのかといったことについても、あまりわかっていません。これらを明らかにすることが、ガリウムナイトライドを含むⅢ族窒化物半導体に関する基礎研究です。性質が明らかになることで、より機能性や信頼性の高い半導体デバイスの実現につなげることができるのです。
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先生情報 / 大学情報
東京都立大学 システムデザイン学部 電子情報システム工学科 准教授 中村 成志 先生
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